HEPG0008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPG0008

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для HEPG0008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPG0008 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HDA496, HEP637, HEPG0001, HEPG0002, HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, A42, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008, HEPS0009, HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012