2N1069. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1069

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1069

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1069 даташит

 ..1. Size:224K  rca
2n1069.pdfpdf_icon

2N1069

 9.1. Size:573K  rca
2n1068.pdfpdf_icon

2N1069

 9.2. Size:594K  rca
2n1067.pdfpdf_icon

2N1069

 9.3. Size:205K  rca
2n1066.pdfpdf_icon

2N1069

Другие транзисторы: 2N1058, 2N1059, 2N106, 2N1060, 2N1065, 2N1066, 2N1067, 2N1068, A1013, 2N107, 2N1070, 2N1072, 2N1072A, 2N1072B, 2N1073, 2N1073A, 2N1073B