HEPS0008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0008

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 440 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0008 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPG0003, HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, BD222, HEPS0009, HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012, HEPS0013, HEPS0014, HEPS0015, HEPS0016