HEPS0009 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0009 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPG0005, HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008, BC547, HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012, HEPS0013, HEPS0014, HEPS0015, HEPS0016, HEPS0017