HEPS0010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0010 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPG0006, HEPG0007, HEPG0008, HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008, HEPS0009, 2SC5200, HEPS0011, HEPS0012, HEPS0013, HEPS0014, HEPS0015, HEPS0016, HEPS0017, HEPS0019