HEPS0013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0013

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 95

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для HEPS0013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0013 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPG0009, HEPG0011, HEPS0005, HEPS0008, HEPS0009, HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012, 2N3904, HEPS0014, HEPS0015, HEPS0016, HEPS0017, HEPS0019, HEPS0020, HEPS0024, HEPS0025