HEPS0019 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0019

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0019

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0019 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0010, HEPS0011, HEPS0012, HEPS0013, HEPS0014, HEPS0015, HEPS0016, HEPS0017, 2N5401, HEPS0020, HEPS0024, HEPS0025, HEPS0026, HEPS0027, HEPS0028, HEPS0029, HEPS0030