HEPS0030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0030

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0030 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0019, HEPS0020, HEPS0024, HEPS0025, HEPS0026, HEPS0027, HEPS0028, HEPS0029, TIP122, HEPS0031, HEPS0032, HEPS0033, HEPS0034, HEPS0035, HEPS0036, HEPS0037, HEPS0038