HEPS0035 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS0035

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HEPS0035

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS0035 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0027, HEPS0028, HEPS0029, HEPS0030, HEPS0031, HEPS0032, HEPS0033, HEPS0034, D882, HEPS0036, HEPS0037, HEPS0038, HEPS0039, HEPS0040, HEPS3002, HEPS3003, HEPS3009