HEPS3009 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: M122

 Аналоги (замена) для HEPS3009

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3009 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0035, HEPS0036, HEPS0037, HEPS0038, HEPS0039, HEPS0040, HEPS3002, HEPS3003, 2SD718, HEPS3010, HEPS3011, HEPS3012, HEPS3019, HEPS3020, HEPS3021, HEPS3024, HEPS3028