Биполярный транзистор HEPS3009 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS3009
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: M122
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам