HEPS3010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3010

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для HEPS3010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3010 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0036, HEPS0037, HEPS0038, HEPS0039, HEPS0040, HEPS3002, HEPS3003, HEPS3009, 13003, HEPS3011, HEPS3012, HEPS3019, HEPS3020, HEPS3021, HEPS3024, HEPS3028, HEPS3032