HEPS3011 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3011

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для HEPS3011

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3011 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS0037, HEPS0038, HEPS0039, HEPS0040, HEPS3002, HEPS3003, HEPS3009, HEPS3010, 2SD1047, HEPS3012, HEPS3019, HEPS3020, HEPS3021, HEPS3024, HEPS3028, HEPS3032, HEPS3033