Биполярный транзистор HEPS3012 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS3012
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам