Биполярный транзистор HEPS3019 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS3019
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SIPT
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам