HEPS3051 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3051

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для HEPS3051

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3051 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3032, HEPS3033, HEPS3034, HEPS3035, HEPS3047, HEPS3048, HEPS3049, HEPS3050, BD135, HEPS3054, HEPS3055, HEPS3060, HEPS3061, HEPS5000, HEPS5004, HEPS5005, HEPS5006