HEPS3055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS3055  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для HEPS3055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS3055 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3034, HEPS3035, HEPS3047, HEPS3048, HEPS3049, HEPS3050, HEPS3051, HEPS3054, BC558, HEPS3060, HEPS3061, HEPS5000, HEPS5004, HEPS5005, HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012