HEPS5000 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5000  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для HEPS5000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5000 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3048, HEPS3049, HEPS3050, HEPS3051, HEPS3054, HEPS3055, HEPS3060, HEPS3061, 2SD313, HEPS5004, HEPS5005, HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015