Биполярный транзистор HEPS5000 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS5000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам