HEPS5005 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HEPS5005 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO218
Аналоги (замена) для HEPS5005
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HEPS5005 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HEPS3050, HEPS3051, HEPS3054, HEPS3055, HEPS3060, HEPS3061, HEPS5000, HEPS5004, 2SC2625, HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d
