HEPS5013 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5013  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для HEPS5013

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5013 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS3060, HEPS3061, HEPS5000, HEPS5004, HEPS5005, HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012, TIP42, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019, HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R