Биполярный транзистор HEPS5013 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS5013
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам