HEPS5019 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5019  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для HEPS5019

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5019 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5005, HEPS5006, HEPS5011, HEPS5012, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, 2SB817, HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026