HEPS5022 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5022  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 275 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для HEPS5022

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5022 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5012, HEPS5013, HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019, HEPS5020, HEPS5021, D880, HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026, HEPS5027, HEPS5028, HEPS7000