HEPS5023 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5023

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 95 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для HEPS5023

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5023 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5014, HEPS5015, HEPS5018, HEPS5019, HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R, D209L, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026, HEPS5027, HEPS5028, HEPS7000, HEPS7001, HEPS7002