Биполярный транзистор HEPS5024 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HEPS5024
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 325 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам