HEPS5025 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5025

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для HEPS5025

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5025 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5018, HEPS5019, HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, 2222A, HEPS5026, HEPS5027, HEPS5028, HEPS7000, HEPS7001, HEPS7002, HEPS7003, HEPS7004