HEPS5027 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS5027

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HEPS5027

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS5027 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5020, HEPS5021, HEPS5022, HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026, NJW0281G, HEPS5028, HEPS7000, HEPS7001, HEPS7002, HEPS7003, HEPS7004, HEPS7005, HEPS7006