HEPS7001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HEPS7001

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для HEPS7001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEPS7001 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: HEPS5022R, HEPS5023, HEPS5024, HEPS5025, HEPS5026, HEPS5027, HEPS5028, HEPS7000, TIP2955, HEPS7002, HEPS7003, HEPS7004, HEPS7005, HEPS7006, HEPS7007, HEPS7008, HEPS9100