HPT1012 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HPT1012 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO83
Аналоги (замена) для HPT1012
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HPT1012 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HPA251R, HPA251R-2, HPA251R-3, HPA251R-4, HPA72R, HPA72R-2, HPA72R-3, HPA72R-4, TIP31C, HPT1210, HPT1212, HS3402, HS3403, HS3404, HS3405, HS5306, HS5306A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent
