Биполярный транзистор HSE112 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE112
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам