Биполярный транзистор 2N1070 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1070
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

Другие транзисторы... 2N106 , 2N1060 , 2N1065 , 2N1066 , 2N1067 , 2N1068 , 2N1069 , 2N107 , BD135 , 2N1072 , 2N1072A , 2N1072B , 2N1073 , 2N1073A , 2N1073B , 2N1074 , 2N1075 .