2N1070. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1070

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1070

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1070 даташит

 ..1. Size:611K  rca
 2n1070.pdf pdf_icon

2N1070

 9.1. Size:267K  general electric
 2n107.pdf pdf_icon

2N1070

Другие транзисторы: 2N106, 2N1060, 2N1065, 2N1066, 2N1067, 2N1068, 2N1069, 2N107, S9013, 2N1072, 2N1072A, 2N1072B, 2N1073, 2N1073A, 2N1073B, 2N1074, 2N1075