Биполярный транзистор HSE175 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE175
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам