HSE2010. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSE2010
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для HSE2010
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSE2010 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HSE185, HSE186, HSE191, HSE193, HSE194, HSE2000, HSE2001, HSE2002, C945, HSE2011, HSE2012, HSE210, HSE211, HSE217, HSE218, HSE220, HSE223
History: 2N1273GN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m