Биполярный транзистор HSE217 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE217
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам