HSE217. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSE217
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для HSE217
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSE217 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HSE2000, HSE2001, HSE2002, HSE2010, HSE2011, HSE2012, HSE210, HSE211, TIP41, HSE218, HSE220, HSE223, HSE224, HSE226, HSE3002, HSE3003, HSE301
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor