Биполярный транзистор HSE319 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE319
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO106
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам