HSE350. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSE350
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO106
Аналоги (замена) для HSE350
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSE350 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HSE3103A, HSE311, HSE316, HSE317, HSE318, HSE319, HSE3279, HSE3281, 2SC4793, HSE373, HSE401, HSE402, HSE403, HSE405, HSE408, HSE410, HSE411
History: BUL49DFP | 2SA1609
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor