HSE823 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: HSE823
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам