Биполярный транзистор HSE833 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE833
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 170 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам