Биполярный транзистор IDB1017 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: IDB1017
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам