IDB1017. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IDB1017
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для IDB1017
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
IDB1017 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: IDA1306A, IDA1306B, IDA1307, IDA940, IDA968, IDA968A, IDA968B, IDB1016, 2N5401, IDB1019, IDB1021, IDB1023, IDB1024, IDB434, IDB435, IDB553, IDB595
History: 2N3267 | 2SD1001FL | 2N3265
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b