IDB435. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IDB435
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для IDB435
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
IDB435 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: IDA968B, IDB1016, IDB1017, IDB1019, IDB1021, IDB1023, IDB1024, IDB434, S8050, IDB553, IDB595, IDB596, IDB674, IDB676, IDB677, IDC2073, IDC2238
History: BUL65B | KSY63
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor