Справочник транзисторов. IMB11A

 

Биполярный транзистор IMB11A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: IMB11A
   Маркировка: B11
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SO6
 

 Аналог (замена) для IMB11A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMB11A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  rohm
emb11 umb11n imb11a umb11n.pdfpdf_icon

IMB11A

EMB11 / UMB11N / IMB11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB11 / UMB11N / IMB11A Features External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA114E chips in a EMT or UMT or SMT EMB11package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3)(5) (2)automatic mounting machines. (6) (1)1.21.63) Transistor elements are independent, eliminating inte

 ..2. Size:62K  rohm
umb11n imb11a b11 sot23-6 sot363.pdfpdf_icon

IMB11A

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMB11N / IMB11AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTA114Es in a UMT or SMTpackage.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typePNP silic

 0.1. Size:1340K  rohm
emb11fha umb11nfha imb11afra.pdfpdf_icon

IMB11A

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRAEMB11 / UMB11N / IMB11ADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R110kWEMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHAR210kW (SC-107C) SOT-353 (S

 9.1. Size:87K  chenmko
chimb11gp.pdfpdf_icon

IMB11A

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHIMB11GPSURFACE MOUNT Dual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 50 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457)SC-74/SOT-457* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.(4)* High saturatio

Другие транзисторы... IDD798 , IDI8000 , IDI8001 , IDI8002 , IDI8003 , IDI8004 , IDI8005 , IMB10A , 2SD669A , IMB16 , IMB17A , IMB1A , IMB2A , IMB3A , IMB4A , IMB5A , IMB6A .

History: MPS5142 | 2SC709

 

 
Back to Top

 


 
.