IMB1A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMB1A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SO6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMB1A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMB1A даташит

 ..1. Size:62K  rohm
 umb1n imb1a b1 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMB1A

UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMA1N / UMB1N / UMB5N / FMA1A / IMB1A / IMB5A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA124E chips in a UMT or SMT package. UMA1N 1.25 Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) 2.1 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC -50 V 0.1Min. -40 Input voltage VIN V ROHM

Другие транзисторы: IDI8002, IDI8003, IDI8004, IDI8005, IMB10A, IMB11A, IMB16, IMB17A, 2N4401, IMB2A, IMB3A, IMB4A, IMB5A, IMB6A, IMB7A, IMB8A, IMB9A