IMX9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMX9  📄📄 

Маркировка: X9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 560

Корпус транзистора: SO6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMX9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMX9 даташит

 ..1. Size:141K  rohm
 imx9.pdf pdf_icon

IMX9

IMX9 Transistors General purpose transistor (isolated dual transistors) IMX9 External dimensions (Units mm) Features 1) Two 2SD2114K chips in a SMT package. 2.9 0.2 1.1+0.2 2) Mounting possible with SMT3 automatic mounting -0.1 1.9 0.2 machine. 0.8 0.1 0.95 0.95 3) Transistor elements are independent, eliminating (4) (5) (6) interference. 0 0.1 4) Mou

Другие транзисторы: IMT3A, IMT4, IMX1, IMX17, IMX2, IMX3, IMX4, IMX5, TIP122, IMZ1A, IMZ2A, IMZ4, IN6542, IR1000, IR1001, IR1010, IR1020