Биполярный транзистор IR1001 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: IR1001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам