IR2000. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IR2000
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.72 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для IR2000
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
IR2000 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: IMZ1A, IMZ2A, IMZ4, IN6542, IR1000, IR1001, IR1010, IR1020, 2N3906, IR2002, IR2500, IR2501, IR2700, IR2701, IR3000, IR3001, IR4010
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166