Биполярный транзистор IR645 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: IR645
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам