Биполярный транзистор JC327 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: JC327
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
JC327 Datasheet (PDF)
jc327 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D186JC327PNP general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor JC327FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 collectorAPPLICATIONS3 emitter
aljc3279.pdf
SUNROC 2SC3279 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES High DC current gain and excellent hFE linearity Low saturation voltage 1. EMITTER 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units3. BASE VCBO Collector-Base Voltage 30 V 1 2 3 VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current Contin
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050