Справочник транзисторов. JC501O

 

Биполярный транзистор JC501O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: JC501O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

JC501O Datasheet (PDF)

 9.1. Size:48K  philips
 jc501 3.pdf pdf_icon

JC501O

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186JC501NPN general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 17Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor JC501FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 collectorAPPLICATIONS3 emitter

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MP8513 | LBC856AWT1G | 3DD101E | CMBT9012 | BTB1198M3 | RT1N250M | SFT107

 

 
Back to Top

 


 
.