JC558C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JC558C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для JC558C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

JC558C даташит

 9.1. Size:49K  philips
 jc556 jc557 jc558 3.pdf pdf_icon

JC558C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 JC556; JC557; JC558 PNP general purpose transistors 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors JC556; JC557; JC558 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 65 V). 1 base 2 collecto

Другие транзисторы: JC556A, JC556B, JC557, JC557A, JC557B, JC557C, JC558, JC558B, MJE350, JC559, JC559A, JC559C, JC560A, JC560B, JC560C, JE5400, JE5400A