JE9012H datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JE9012H 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 144
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для JE9012H
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
JE9012H даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: JE9011F, JE9011G, JE9011H, JE9011I, JE9012D, JE9012E, JE9012F, JE9012G, TIP42C, JE9014A, JE9014B, JE9014C, JE9014D, JE9015, JE9015A, JE9015B, JE9015C
History: 3DD4205D | 3DD4241T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet
