Биполярный транзистор K2110A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: K2110A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO72
K2110A Datasheet (PDF)
2sk2110.pdf
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK2110N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH-SPEED SWITCHING DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit: mm) The 2SK2110 is a N-channel MOSFET of a vertical type 4.5 0.1and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. 1.6 0.2 1.5 0.1 This product has a low on-state resistance and superb switching charact
2sk2110.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK21101.70 0.1 Features VDS (V) = 100V ID = 0.5 ADrain (D)0.42 0.10.46 0.1 RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V) RDS(ON) 1.5 (VGS = 4V)Gate (G)1.GateInternal diode2.DrainGate3.SourceprotectiondiodeSource (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 10
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
