K2111A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2111A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2111A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2111A даташит

 9.1. Size:662K  kexin
 2sk2111.pdf pdf_icon

K2111A

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2111 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 1 A Drain (D) RDS(ON) 0.45 (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 0.6 (VGS = 4V) Gate (G) Internal diode 1.Gate Gate protection 2.Drain diode 3.Source Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V

Другие транзисторы: K2108B, K2109, K2109A, K2109B, K2110, K2110A, K2110B, K2111, 2SD1047, K2111B, K2112A, K2112B, K2113A, K2113B, K2114A, K2114B, K2115